高溫反偏老化測試系統(tǒng)(HTRB4000)
該系統(tǒng)可進(jìn)行室溫+10℃~+200℃的高溫反偏老化測試,老化過程中實時監(jiān)測被測器件的漏電流狀態(tài)、被測器件的電壓狀態(tài),并根據(jù)需要記錄老化試驗數(shù)據(jù),導(dǎo)出試驗報表。
功能
- 使用熱平臺加熱方式對器件進(jìn)行加熱
- 可實現(xiàn)每個器件獨立加熱平臺,獨立控溫
- 良好的熱傳遞特性,針對IGBT模塊/分立器件高溫高漏電特性,可實現(xiàn)175Tj情況下穩(wěn)定的HTRB試驗
- 可定制獨立保護(hù)功能,實現(xiàn)單工位超限切斷
- 自動化裝載平臺,程序門控,可搭配地軌實現(xiàn)全自動化
- 可根據(jù)需求進(jìn)行測試柜增配、減配
- 充分的實驗員人體安全考慮設(shè)定
產(chǎn)品特性
試驗熱平臺 | 96個 |
試驗溫度 | 室溫+10℃~200℃ |
老化試驗區(qū) | 12區(qū) |
老化電壓范圍 | -2000V~+2000V |
電壓檢測精度 | ±(1%+2LSB) |
電流檢測范圍 | 10nA~50mA |
電流檢測精度 | ±(1%+10nA) |
整機(jī)供電 | 三相AC380V±38V |
最大功率 | 32KW (典型) |
整機(jī)重量 | 6000KG (典型) |
整機(jī)尺寸(6+1配置) | 7000mm(W) x 1200mm(D) x 2250mm(H) |
適用標(biāo)準(zhǔn)
MIL-STD-750D AQG324
適用器件
適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等