高溫動態(tài)反偏老化測試系統(tǒng)(DHTRB2000)
該系統(tǒng)針對SiC MOSFET進行動態(tài)反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個試驗區(qū)域可進行最高12個工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置。可為器件提供室溫~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。
功能
- dv/dt>50V/ns (COSS<300pF)
- 2us的過流保護
- 溫控在室溫~200℃內(nèi)可獨立加熱,兼容靜態(tài)HTRB試驗
- 充分的實驗員人體安全考慮設(shè)定
產(chǎn)品特性
試驗溫度 | 室溫~200°C(熱板形式加熱) |
老化試驗區(qū) | 8區(qū)(可擴容) |
單區(qū)工位 | 12 (典型) |
試驗方法 | 主動式: |
試驗電壓 | 50V-1200V |
電壓精度 | 檢測誤差: ±(2%+1V) |
脈沖控制 | 1.脈沖頻率(方波): 0kHz~100kHz; 精度:2%+2LSB(最大頻率取決于電壓,DUT電容) |
VGS電壓測控范圍 | -0.7V~-20V/0V |
漏電流檢測 | 檢測范圍: 0.1uA~20mA |
整機供電 | 三相AC380V+38V |
整機重量 | 700Kg(典型) |
整機尺寸(典型) | 800mm(W)x1400mm(D)x1950mm(H) |
適用標準
AEC-Q101 AQG324 JESD22-A108 JEDEC JEP183A
適用器件
適用于SiC、GaN、IGBT模塊、MOS管

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